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接触式IC卡读写模块 支持SLE4442/4428 小型化 低功耗 方便使用
体积小（1.9cm*1.4cm）
ISO14443-A以及Mifare, Ultrlight&EV1等的低功耗模块
支持ISO14443A/B 二代证ID 低功耗 免驱
支持iso14443A/B 韦根接口 二代证ID
CMOS电路中ESD 保护结构的设计
2009-4-20
摘 要： 本文研究了在 CMOS 工艺中 I/O 电路的 ESD 保护结构设计以及相关版图的要求，其中重
点讨论了PAD 到VSS电流通路的建立。
关键词：ESD保护电路，ESD设计窗口，ESD 电流通路
Construction Strategy of ESD Protection Circuit
Abstract： The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic concept
ions of ESD protection design are presented.
Key words：ESD protection/On circuit, ESD design window, ESD current path
引言
静电放电（ESD，Electrostatic Discharge）给电子器件环境会带来破坏性的后果。它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展，互补金属氧化物半导体（CMOS，Complementary Metal-Oxide Semiconductor）的特征尺寸不断缩小，金属氧化物半导体(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的栅氧厚度越来越薄，MOS管能承受的电流和电压也越来越小，因此要进一步优化电路的抗 ESD 性能，需要从全芯片ESD 保护结构的设计来进行考虑。
