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  • CMOS电路中ESD 保护结构的设计

    首页 | 电路基础 | 详细
    2009-4-20

     摘 要: 本文研究了在 CMOS 工艺中 I/O 电路的 ESD 保护结构设计以及相关版图的要求,其中重
                     点讨论了PAD 到VSS电流通路的建立。
     关键词:ESD保护电路,ESD设计窗口,ESD 电流通路
     
     Construction Strategy of ESD Protection Circuit
     Abstract: The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic concept
     ions of ESD protection design are presented.
     
     Key words:ESD protection/On circuit, ESD design window, ESD current path 
     
    引言

     



    静电放电(ESD,Electrostatic Discharge)给电子器件环境会带来破坏性的后果。它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展,互补金属氧化物半导体(CMOS,Complementary Metal-Oxide Semiconductor)的特征尺寸不断缩小,金属氧化物半导体(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的栅氧厚度越来越薄,MOS管能承受的电流和电压也越来越小,因此要进一步优化电路的抗 ESD 性能,需要从全芯片ESD 保护结构的设计来进行考虑。  

     


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